Новая FLASH технология фирмы MICROCHIP

    В настоящее время, энергонезависимая память должна обладать такими характеристиками:
    1. Обеспечивать надежность в обширном диапазоне питающих напряжений;
    2. Обеспечивать малое время программирования;
    3. Возможность эффективного размещения масси вов данных (несколько бит, либо десятки килобайт) с наибольшей плотностью.
    На разработку собственной технологии NVM фир му Microchip подтолкнуло то, что ни один из производителей не выпускал память, соответствующую данным требованиям.
    В результате фирма Microchip разработала 0.5 микронную технологию, названную P-channel Electrically Erasable Cell (PEEC) (память, стираемая по P каналу).
    Необходимо отметить, что в настоящее время фирма Microchip применяет данную технологию, как для памяти программ микроконтроллеров, так и для памяти с последовательным доступом – EEPROM.
    Память фирмы Microchip обладает следующими преимуществами:
    - Использование FowlerNordheim tunneling технологии для обеспечения повышенной надежности;
    - Использование однотранзисторной технологии, что позволяет существенно уменьшить размер кристалла;
    - Возможность записи/стирания одной ячейки памяти, а не целого массив данных, как в других технологиях;
    - Индивидуальные биты конфигурации и калибровки;
    - Встроенный преобразователь напряжения программирования и задатчик тактирующих импульсов;
    - Лучшие в своем классе показатели надежности.

    Понятие Устойчивость (Endurance) (количество циклов стирания/записи, после которого происходит сбой) объединяет в себе сбой ячейки и изменение исходного состояния (disturb condition). Изменение исходного состояния с 0 на 1 может произойти под воздействием высокого напряжения программирования, многократно прилагаемого к соседнему массиву памяти во время процедуры стирания/записи.
    На рис. 1 показаны результаты тестирования партии микросхем памяти 24ХХ256.